●TOPCon相比PERC，Topcon电池片主要新增硼扩散，LPCVD设备，清洗设备，与PERC兼容度好。但由于工艺流程的增加和工艺难度的增加，导致产品合格率的降低。

●TOPCon背面采用超薄氧化硅隧穿层和掺杂多晶硅钝化，无需激光开槽，正面多层减反膜工艺，使得电池组件外观更加一致，提升组件美观度。

●TOPCon后续发展：良率提升、硅片薄片化、降低浆料湿重、提升设备产能将成为后续降本重点。

●传统的P型电池使用硼掺杂的硅片基底，初始光照后容易形成硼-氧对，在硅片基底中捕获电子以形成复合中心，从而导致光致衰减，而N型电池硅片基底掺磷，几乎没有硼-氧对形成的复合中心损失，光致衰减得到了极大优化。在此基础上，以TOPCon技术为例，隧穿氧化层的结构进一步降低了多少子表面复合速率，极大地优化了电池转换效率，其上限可达到28.2%~28.7%。